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IXTK 200N10P
300
250
Fig. 7. Input Adm ittance
140
120
Fig. 8. Transconductance
200
100
T J = -40 o C
150
80
60
25 o C
150 o C
100
50
0
T J = -40 o C
25 o C
150 o C
40
20
0
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
0
50
100
150
200
250
300
350
350
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
300
250
200
150
9
8
7
6
5
4
V DS = 50V
I D = 100A
I G = 10mA
100
50
0
T J = 150 o C
T J = 25 o C
3
2
1
0
0.4
0.6
0.8 1
V S D - Volts
1.2
1.4
1.6
0
25
50
75 100 125 150 175 200 225 250
Q G - nanoCoulombs
100,000
Fig. 11. Capacitance
1000
Fig. 12. Forw ard-Bias
Safe Operating Area
10,000
f = 1MHz
C iss
R DS(on) Limit
T J = 175 o C
T C = 25 o C
100μs
C oss
100
1ms
1,000
100
C rss
10
DC
10ms
0
5
10
15 20 25
V DS - Volts
30
35
40
1
10
V D S - Volts
100
1000
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